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FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2

Name: FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2
Brand: KENWOOD
SKU: 37263
Price: 2387.31 MXN
Availability: Discontinued

$2,387.31MXN

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Ficha técnica

No. de parte	RD70-HVF1-101
SKU Mercax	37263
Marca	KENWOOD
Categoría	Radiocomunicación › Refacciones › KENWOOD / ICOM / TXPRO
Clave de producto SAT	32101500

Los datos técnicos completos están en la descripción.

Descripción

Características Principales

Frecuencia de operación: 136-174 MHz banda VHF
Potencia máxima de salida: 50 W
Capacidad de 32 canales programables
Pantalla LED brillante para mejor visualización
Rango de temperatura operativa: -30°C a +60°C

Características Técnicas

Transistor MOSFET de potencia RF de silicio
Cumple con RoHS
Frecuencia de operación: 175 MHz (70W) y 520 MHz (50W)
Tensión de drenaje a fuente (VDSS): 30V
Disipación del canal: 150W
Eficiencia alta: 60% típica en banda VHF, 55% típica en banda UHF

Aplicaciones

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF

Especificaciones Eléctricas

Tensión de compuerta a fuente (VGSS): ±20V
Corriente de drenaje: 20A
Temperatura de canal: 175°C
Resistencia térmica unión a carcasa: 1.0°C/W
Corriente de drenaje a VGS=0V: 300μA (máx.)
Corriente de fuga de compuerta: 5μA (máx.)
Voltaje de umbral: 1.3V a 2.3V

Precauciones de Uso

Alta temperatura: El producto puede generar calor durante la operación
Generación de potencia de alta frecuencia: Puede generar ondas eléctricas innecesarias
Sensible a descargas electrostáticas (ESD)
No usar por debajo de la frecuencia recomendada
Mantener baja la temperatura del dispositivo para maximizar la confiabilidad
No exceder las condiciones de clasificación máxima

Condiciones de Operación

Tensión de alimentación: 12.5V
Potencia de salida: >70W @ 175MHz, >50W @ 520MHz
Ganancia: >10.6dB @ 175MHz, >7.0dB @ 520MHz
Impedancia de entrada/salida: 50Ω
Tensión de prueba: 12.5V (Vdd)

Dimensiones y Conexiones

Conexiones:

1. Drenaje (DRAIN)
2. Fuente (SOURCE)
3. Compuerta (GATE)

Dimensiones: 25.0±0.3mm (largo) x 7.0±0.5mm (ancho)
Tolerancia VSWR: 20:1 (toda fase) en 175MHz y 520MHz

Condiciones de Almacenamiento

Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
Temperatura de canal: Máxima 175°C
Temperatura operativa recomendada: Hasta 120°C (canal) o 140°C (máx. 175°C)

Notas Importantes

1. Las especificaciones pueden cambiar sin previo aviso debido a mejoras del producto.

2. Los productos RD series (transistores de potencia RF) no están diseñados para uso en aplicaciones críticas como sistemas médicos, aeroespaciales o nucleares sin aprobación previa.

3. El uso de estos productos requiere evaluación completa del sistema y medidas de seguridad adecuadas.

4. El retiro de la cubierta protectora del producto anula la garantía.

5. Para aplicaciones críticas o donde pueda haber riesgos, contactar a Mitsubishi Electric Corporation o a un distribuidor autorizado.

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