Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

Name: Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Brand: SYSCOM
SKU: 24141
Price: 531.24 MXN
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

No. de parte	MRF475
SKU Mercax	24141
Marca	SYSCOM
Categoría	Radiocomunicación › Refacciones › KENWOOD / ICOM / TXPRO
Clave de producto SAT	32111600

Los datos técnicos completos están en la descripción.

Descripción

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
Potencia de salida máxima de 10 Watt

Máximos Ratings

I_C: 4.0 A
V_CE: 18 V
V_CB: 48 V
P_D: 10 W @ T_C = 25 °C
T_STG: -65 °C to +150 °C
T_J: -65 °C to +150 °C
θ_J-C: 12.5 °C/W

Características Eléctricas

BV_CEO: 18 V @ I_C = 20 mA
BV_CES: 48 V @ I_C = 50 mA
BV_EBO: 4.0 V @ I_E = 5.0 mA
I_CBO: 1.0 mA @ V_CB = 25 V
h_FE: 30-60 @ V_CE = 5.0 V, I_C = 500 mA
C_ob: 125-145 pF @ V_CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
G_P: 10-12 dB
η: 40% @ P_out = 12 W (PEP), V_CC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I_CQ = 300 mA
IMD: -30 dB

Configuración Física

Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR

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