Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

Características Principales

• Transistor NPN de potencia RF
• Frecuencia de operación: 470 MHz
• Ganancia: 6.2 dB
• Potencia de salida: 25 Watt
• Tecnología de silicio avanzada

Ratings Máximos

• Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16 Vdc
• Voltage Colector-Base (VCBO): 36 Vdc
• Voltage Emisor-Base (VEBO): 4.0 Vdc
• Corriente Colector (IC): 4.0 Adc
• Disipación total (TC = 25°C): 103 Watts
• Derating: 0.59 W/°C sobre 25°C
• Rango temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C

Características Térmicas

• Resistencia térmica (Juntura a Carcaza): 1.7 °C/W

Características Eléctricas (TC = 25°C)

Características OFF

• Voltage ruptura Colector-Emisor: 16 Vdc (IC = 20 mAdc, IB = 0)
• Voltage ruptura Colector-Base: 36 Vdc (IC = 20 mAdc, VBE = 0)
• Voltage ruptura Emisor-Base: 4.0 Vdc (IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
• Corriente fuga Colector: ≤5.0 mAdc (VCE = 15 Vdc, VBE = 0)

Características ON

• DC Current Gain (hFE): 40-100 (IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)

Características Dinámicas

• Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF (VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)

Pruebas Funcionales

• Amplificador común emisor: Ganancia de potencia 6.2-7.0 dB
• Voltage de alimentación: 12.5 Vdc
• Potencia de entrada: 5.0-6.0 Watts
• Eficiencia del colector: 55-60%
• Impedancia entrada: 1.2 + j3.3 Ohms
• Impedancia salida: 1.9 + j2.1 Ohms

Diagramas y Gráficas

• Potencia de salida vs Potencia de entrada
• Potencia de salida vs Frecuencia
• Potencia de salida vs Voltaje de alimentación
• Perfil de saturación de potencia
• Impedancia entrada/salida equivalente en serie

Dimensiones del Paquete

Código: CASE 316-01, STYLE 1

• Dimensiones: 24.38-25.14 mm (A) x 12.45-12.95 mm (B) x 5.97-7.62 mm (C)
• Conexiones: 1.Emisor, 2.Colector, 3.Emisor, 4.Base

Aplicaciones

• Amplificadores de señal grande UHF a 12.5 Volt
• Equipos FM industriales y comerciales
• Operación hasta 512 MHz
• Sistemas con requisitos de impedancia controlada